دیتاشیت 2N7002E
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
2N7002E
|
| حجم فایل |
46.268
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
1
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
AnBon 2N7002E
-
Power Dissipation (Pd):
350mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
2.4nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
18pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
300mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3Ω@10V,500mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
AnBon
